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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

  • 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星3nm取得突破性進展！Exynos 2500樣品已達3.20GHz

  • 7月14日消息，據(jù)媒體報道，三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實現(xiàn)了3.20GHz的高頻運行，這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期，而且比蘋果A15 Bionic更省電，效率表現(xiàn)更為出色。此前，有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過低的擔(dān)憂一度影響了市場對Exynos 2500的信心，特別是在Galaxy S25系列手機的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中，對外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進行了否認(rèn)，強調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定，產(chǎn)
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臺積電試產(chǎn)2nm制程工藝，三星還追的上嗎？

  • 據(jù)外媒報道，臺積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險試產(chǎn)，生產(chǎn)設(shè)備已進駐廠區(qū)并安裝完畢，相較市場普遍預(yù)期的四季度提前了一個季度。芯片制程工藝的風(fēng)險試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率，進而實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，風(fēng)險試產(chǎn)之后也還需要一段時間才會量產(chǎn)。在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家是多次提到在按計劃推進2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是，臺積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù)，預(yù)計蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺積電2nm步入GAA時代作為3n
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曝臺積電3nm瘋狂漲價：6nm/7nm制程卻降價了

  • 7月8日消息，業(yè)內(nèi)人士手機晶片達人爆料，臺積電6nm、7nm產(chǎn)能利用率只有60%，明年1月1日起臺積電會降價10%。與之相反的是，因3nm、5nm先進制程工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求，臺積電明年將漲價5%-10%。業(yè)內(nèi)人士表示，臺積電3nm漲價底氣在于，蘋果、高通、英偉達與AMD等四大廠包攬臺積電3nm家族產(chǎn)能，甚至出現(xiàn)了排隊潮，一路排到2026年。受此影響，采用臺積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價格將會上漲，消息稱驍龍8 Gen4的最終價格將超過200美元，也就是說單一顆芯片的價格在1500元左右，相關(guān)終端價格
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聯(lián)發(fā)科、高通手機旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺積電3nm再添大單

  • 《科創(chuàng)板日報》8日訊，聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機旗艦芯片將于第四季推出，兩大廠新芯片都以臺積電3nm制程生產(chǎn)，近期進入投片階段。臺積電再添大單，據(jù)了解，其3nm家族制程產(chǎn)能客戶排隊潮已一路排到2026年。在臺積電3nm制程加持之下，天璣9400的各面向性能應(yīng)當(dāng)會再提升，成為聯(lián)發(fā)科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時間與細(xì)節(jié)，外界認(rèn)為，該款芯片也是以臺積電3nm制程生產(chǎn)，并于第四季推出。價格可能比當(dāng)下的驍龍8 Gen 3高25％~30％，每顆報價來到220美元~240
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性能暴增3.7倍！三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000：主頻1.6GHz

  • 7月3日消息，三星今天正式發(fā)布了其首款3nm工藝芯片——Exynos W1000。這款芯片專為可穿戴設(shè)備設(shè)計，預(yù)計將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工藝，搭載了1個Cortex-A78大核心和4個Cortex-A55小核心，其中大核心的主頻達到1.6GHz，小核心主頻為1.5GHz。與前代產(chǎn)品Exynos W930相比，W1000在單核性能上實現(xiàn)了3.4倍的提升，在多核性能上更是達到了3.
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報道，認(rèn)為這則傳聞“毫無根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據(jù)”，仍在評估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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英特爾最新的FinFET是其代工計劃的關(guān)鍵

  • 在上周的VLSI研討會上，英特爾詳細(xì)介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應(yīng)晶體管 （FinFET） 結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長一段時間內(nèi)對其計劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計劃至關(guān)重要。它被稱為偶極子功
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Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

  • 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個工廠進入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

  • 此前有報道稱，明年谷歌可能會改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進行過渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據(jù)Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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“Intel 3”3nm制程技術(shù)已開始量產(chǎn)

  • 據(jù)外媒報道，英特爾周三表示，其名為“Intel 3”的3nm制程技術(shù)已在俄勒岡州和愛爾蘭工廠開始大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點的一些額外細(xì)節(jié)。據(jù)介紹，新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的超高性能應(yīng)用電壓。該節(jié)點既針對英特爾自己的產(chǎn)品，也針對代工客戶，將在未來幾年不斷發(fā)展。英特爾一直將Intel 3制造工藝定位于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，這些應(yīng)用需要通過改進的晶體管（與Intel 4相比）、降低晶體管通孔電阻的電源傳輸電路以及設(shè)計協(xié)同優(yōu)化來實現(xiàn)尖端性能。生產(chǎn)節(jié)點支持<0.6V低壓以及&g
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臺積電產(chǎn)能供不應(yīng)求，將針對先進制程和先進封裝漲價

  • 6月17日，據(jù)臺媒《工商時報》報道，在產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況下，臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執(zhí)行價格調(diào)漲。其中，3nm代工報價漲幅或在5%以上，而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
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臺積電3nm供不應(yīng)求引漲價潮！NVIDIA、AMD、蘋果等都要漲價

  • 6月16日消息，據(jù)媒體報道，隨著臺積電3納米供不應(yīng)求，預(yù)期臺積電3納米訂單滿至2026年，NVIDIA、蘋果、AMD和高通等都在考慮提高AI硬件價格。在AI服務(wù)器、HPC應(yīng)用與高階智能手機AI化驅(qū)動下，蘋果、高通、英偉達、AMD等四大廠傳大舉包下臺積電3納米家族制程產(chǎn)能，并涌現(xiàn)客戶排隊潮，一路排到2026年。業(yè)界認(rèn)為，在客戶搶著預(yù)訂產(chǎn)能下，臺積3納米家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊，將成為近二年常態(tài)。由于供不應(yīng)求的局面，臺積電正在考慮將部分5納米設(shè)備轉(zhuǎn)換為支持3納米產(chǎn)能，預(yù)計月產(chǎn)能有望提升至12萬片至18萬片。盡管臺積電
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Arm發(fā)布基于3nm芯片工藝的新CPU、GPU IP

  • 芯片設(shè)計公司Arm今日發(fā)布了針對旗艦智能手機的新一代CPU和GPU IP（設(shè)計方案）：Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新產(chǎn)品均使用了其最新的Armv9架構(gòu)，基于臺積電3nm制程工藝方案，針對終端設(shè)備在AI應(yīng)用上的性能進行設(shè)計優(yōu)化。此外還將提供軟件工具，讓開發(fā)人員更容易在采用Arm架構(gòu)的芯片上運行生成式AI聊天機器人和其他AI代碼。預(yù)計搭載最新內(nèi)核設(shè)計的手機將于2024年底上市。據(jù)官方介紹，新的CPU與GPU IP是目前旗下同類產(chǎn)品中性能最強的一代，新CPU性能提升3
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